на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.95 грн |
| 10+ | 96.98 грн |
| 100+ | 65.44 грн |
| 500+ | 54.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD6N50TM onsemi / Fairchild
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: DMOS; UniFET™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 3.8A, Pulsed drain current: 24A, Power dissipation: 89W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 16.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDD6N50TM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD6N50TM | Виробник : ONSEMI |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
FDD6N50TM | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
товар відсутній |
|
| FDD6N50TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |