Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (19922) > Сторінка 236 з 333

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 99 132 165 198 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 264 297 330 333  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXFH69N30P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0D688BE9-5010-42E7-950F-B665084A20BE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-69N30P-Datasheet.PDF IXFH69N30P THT N channel transistors
товар відсутній
IXFH6N120 IXFH6N120 IXYS IXFH6N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+980.37 грн
2+ 679.39 грн
5+ 618.51 грн
IXFH6N120P IXFH6N120P IXYS IXFA(H,P)6N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXFH70N20Q3 IXFH70N20Q3 IXYS IXFH(T)70N20Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1182.07 грн
2+ 769.85 грн
4+ 700.4 грн
IXFH70N30Q3 IXFH70N30Q3 IXYS IXFH(T)70N30Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO247-3
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1254.31 грн
3+ 1143.47 грн
IXFH70N65X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=3898986d-7aee-4406-a20a-684121a62c14&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 165ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH72N30X3 IXFH72N30X3 IXYS IXF_72N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+899.69 грн
2+ 616.97 грн
5+ 561.02 грн
IXFH74N20P IXFH74N20P IXYS IXF(V,H)74N20P(S).pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+591.97 грн
3+ 400.76 грн
8+ 365.01 грн
510+ 358.04 грн
IXFH76N15T2 IXFH76N15T2 IXYS IXFA(H,P)76N15T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO247-3; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+537.56 грн
3+ 353.72 грн
9+ 321.45 грн
IXFH78N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh78n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W
Reverse recovery time: 205ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 78A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH7N100P IXFH7N100P IXYS IXF_7N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
On-state resistance: 1.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH80N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+906.26 грн
2+ 573.21 грн
5+ 541.85 грн
IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 IXYS IXF_80N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 IXYS IXFH80N65X2-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1186.76 грн
2+ 925.45 грн
4+ 842.39 грн
510+ 810.16 грн
IXFH86N30T IXFH86N30T IXYS IXFH(T)86N30T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 86A; 860W; TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 86A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 860W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 143nC
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+922.2 грн
2+ 613.35 грн
5+ 557.53 грн
IXFH88N30P IXFH88N30P IXYS IXFH(K,T)88N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1163.31 грн
2+ 856.7 грн
3+ 824.1 грн
4+ 779.67 грн
IXFH90N20X3 IXFH90N20X3 IXYS IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+681.1 грн
2+ 522.89 грн
6+ 475.64 грн
30+ 468.67 грн
IXFH90N65X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=6f8a9249-2180-4bd2-9a3d-392bbeb94cb1&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet IXFH90N65X3 THT N channel transistors
товар відсутній
IXFH94N30P3 IXFH94N30P3 IXYS IXFH(Q,T)94N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+968.17 грн
2+ 745.43 грн
4+ 678.62 грн
510+ 652.48 грн
IXFH94N30T IXFH94N30T IXYS IXFH(T)94N30T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO247-3; 155ns
Reverse recovery time: 155ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH96N15P IXFH96N15P IXYS IXFH96N15P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 96A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+594.79 грн
3+ 390.81 грн
8+ 355.43 грн
IXFH96N20P IXFH96N20P IXYS IXFH(T,V)96N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 600W
Gate charge: 145nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 96A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH98N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 220ns
товар відсутній
IXFJ20N85X IXYS DS100772A(IXFJ20N85X).pdf IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1060.11 грн
2+ 668.17 грн
5+ 631.58 грн
IXFJ26N50P3 IXFJ26N50P3 IXYS IXFJ26N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 180W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFJ80N25X3 IXYS PCIM_Highlights_2017.pdf IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
товар відсутній
IXFK100N65X2 IXFK100N65X2 IXYS IXFK(X)100N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1169.88 грн
3+ 1066.58 грн
IXFK102N30P IXFK102N30P IXYS IXFK102N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1345.31 грн
2+ 919.12 грн
4+ 837.17 грн
IXFK120N20P IXFK120N20P IXYS IXFH(K)120N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK120N25P IXFK120N25P IXYS IXFK(X)120N25P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK120N30P3 IXFK120N30P3 IXYS IXFK(X)120N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.13kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK120N30T IXFK120N30T IXYS IXFK(X)120N30T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1372.52 грн
2+ 953.5 грн
3+ 917.31 грн
4+ 867.66 грн
IXFK120N65X2 IXFK120N65X2 IXYS IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK140N20P IXFK140N20P IXYS IXFK140N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1345.31 грн
2+ 942.64 грн
3+ 906.86 грн
4+ 858.07 грн
IXFK140N25T IXFK140N25T IXYS IXFK(X)140N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 140A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK140N30P IXFK140N30P IXYS IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1410.98 грн
3+ 1286.41 грн
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS IXFK(X)150N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Mounting: THT
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK150N30X3 IXFK150N30X3 IXYS IXF_150N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 167ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 254nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK160N30T IXFK160N30T IXYS IXF_160N30T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK170N10P IXFK170N10P IXYS IXFH170N10P_IXFK170N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1105.14 грн
2+ 785.23 грн
4+ 715.21 грн
IXFK170N20P IXFK170N20P IXYS IXF_170N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXFK170N20T IXFK170N20T IXYS IXFK(X)170N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK170N25X3 IXFK170N25X3 IXYS IXFH(K,T)170N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO264; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK180N15P IXFK180N15P IXYS IXFK180N15P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1105.14 грн
3+ 1007.78 грн
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS IXFK(X)180N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 364nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1283.39 грн
3+ 1169.71 грн
IXFK200N10P IXFK200N10P IXYS IXFK(X)200N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK20N120P IXFK20N120P IXYS IXF_20N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK210N30X3 IXFK210N30X3 IXYS 300VProductBrief.pdf IXF_210N30X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Mounting: THT
Reverse recovery time: 190ns
Case: TO264
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK220N15P IXFK220N15P IXYS IXFK220N15P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 220A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 220A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXFK220N17T2 IXFK220N17T2 IXYS IXFK(X)220N17T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK220N20X3 IXFK220N20X3 IXYS IXF_220N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1319.98 грн
3+ 1204.08 грн
25+ 1133.35 грн
IXFK230N20T IXFK230N20T IXYS IXFK(X)230N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1704.62 грн
2+ 1554.18 грн
3+ 1495.75 грн
IXFK240N15T2 IXFK240N15T2 IXYS IXFK(X)240N15T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 240A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 460nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK240N25X3 IXFK240N25X3 IXYS IXFK(X)240N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 345nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 177ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2169.95 грн
2+ 1979.37 грн
3+ 1905.19 грн
IXFK24N100Q3 IXFK24N100Q3 IXYS IXFK(X)24N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+998.19 грн
2+ 694.77 грн
5+ 632.45 грн
IXFK250N10P IXFK250N10P IXYS IXFK(X)250N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Case: TO264
Gate charge: 205nC
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1570.47 грн
2+ 1432.06 грн
25+ 1365.08 грн
IXFK26N100P IXFK26N100P IXYS IXFK26N100P_IXFX26N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2380.09 грн
2+ 2169.34 грн
25+ 2052.41 грн
IXFK26N120P IXFK26N120P IXYS IXFK(X)26N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK27N80Q IXFK27N80Q IXYS IXFK(X)27N80Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH69N30P media?resourcetype=datasheets&itemid=0D688BE9-5010-42E7-950F-B665084A20BE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-69N30P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXFH69N30P THT N channel transistors
товар відсутній
IXFH6N120 IXFH6N120.pdf
IXFH6N120
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+980.37 грн
2+ 679.39 грн
5+ 618.51 грн
IXFH6N120P IXFA(H,P)6N120P.pdf
IXFH6N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXFH70N20Q3 IXFH(T)70N20Q3.pdf
IXFH70N20Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1182.07 грн
2+ 769.85 грн
4+ 700.4 грн
IXFH70N30Q3 IXFH(T)70N30Q3.pdf
IXFH70N30Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO247-3
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1254.31 грн
3+ 1143.47 грн
IXFH70N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=3898986d-7aee-4406-a20a-684121a62c14&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 165ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH72N30X3 IXF_72N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH72N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+899.69 грн
2+ 616.97 грн
5+ 561.02 грн
IXFH74N20P IXF(V,H)74N20P(S).pdf
IXFH74N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+591.97 грн
3+ 400.76 грн
8+ 365.01 грн
510+ 358.04 грн
IXFH76N15T2 IXFA(H,P)76N15T2.pdf
IXFH76N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO247-3; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+537.56 грн
3+ 353.72 грн
9+ 321.45 грн
IXFH78N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh78n60x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W
Reverse recovery time: 205ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 78A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH7N100P IXF_7N100P.pdf
IXFH7N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
On-state resistance: 1.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH80N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+906.26 грн
2+ 573.21 грн
5+ 541.85 грн
IXFH80N65X2 IXF_80N65X2.pdf
IXFH80N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4.pdf
IXFH80N65X2-4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1186.76 грн
2+ 925.45 грн
4+ 842.39 грн
510+ 810.16 грн
IXFH86N30T IXFH(T)86N30T.pdf
IXFH86N30T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 86A; 860W; TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 86A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 860W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 143nC
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+922.2 грн
2+ 613.35 грн
5+ 557.53 грн
IXFH88N30P IXFH(K,T)88N30P.pdf
IXFH88N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1163.31 грн
2+ 856.7 грн
3+ 824.1 грн
4+ 779.67 грн
IXFH90N20X3 IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFH90N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+681.1 грн
2+ 522.89 грн
6+ 475.64 грн
30+ 468.67 грн
IXFH90N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=6f8a9249-2180-4bd2-9a3d-392bbeb94cb1&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet
Виробник: IXYS
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
товар відсутній
IXFH94N30P3 IXFH(Q,T)94N30P3.pdf
IXFH94N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+968.17 грн
2+ 745.43 грн
4+ 678.62 грн
510+ 652.48 грн
IXFH94N30T IXFH(T)94N30T.pdf
IXFH94N30T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO247-3; 155ns
Reverse recovery time: 155ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH96N15P IXFH96N15P.pdf
IXFH96N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 96A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+594.79 грн
3+ 390.81 грн
8+ 355.43 грн
IXFH96N20P IXFH(T,V)96N20P.pdf
IXFH96N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 600W
Gate charge: 145nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 96A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH98N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 220ns
товар відсутній
IXFJ20N85X DS100772A(IXFJ20N85X).pdf
Виробник: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1060.11 грн
2+ 668.17 грн
5+ 631.58 грн
IXFJ26N50P3 IXFJ26N50P3.pdf
IXFJ26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 180W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFJ80N25X3 PCIM_Highlights_2017.pdf
Виробник: IXYS
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
товар відсутній
IXFK100N65X2 IXFK(X)100N65X2.pdf
IXFK100N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1169.88 грн
3+ 1066.58 грн
IXFK102N30P IXFK102N30P.pdf
IXFK102N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1345.31 грн
2+ 919.12 грн
4+ 837.17 грн
IXFK120N20P IXFH(K)120N20P.pdf
IXFK120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK120N25P IXFK(X)120N25P.pdf
IXFK120N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK120N30P3 IXFK(X)120N30P3.pdf
IXFK120N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.13kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK120N30T IXFK(X)120N30T.pdf
IXFK120N30T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1372.52 грн
2+ 953.5 грн
3+ 917.31 грн
4+ 867.66 грн
IXFK120N65X2 IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf
IXFK120N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK140N20P IXFK140N20P.pdf
IXFK140N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1345.31 грн
2+ 942.64 грн
3+ 906.86 грн
4+ 858.07 грн
IXFK140N25T IXFK(X)140N25T.pdf
IXFK140N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 140A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK140N30P IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf
IXFK140N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1410.98 грн
3+ 1286.41 грн
IXFK150N30P3 IXFK(X)150N30P3.pdf
IXFK150N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Mounting: THT
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK150N30X3 IXF_150N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFK150N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 167ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 254nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK160N30T IXF_160N30T.pdf
IXFK160N30T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK170N10P IXFH170N10P_IXFK170N10P.pdf
IXFK170N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1105.14 грн
2+ 785.23 грн
4+ 715.21 грн
IXFK170N20P IXF_170N20P.pdf
IXFK170N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXFK170N20T IXFK(X)170N20T.pdf
IXFK170N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK170N25X3 IXFH(K,T)170N25X3_HV.pdf
IXFK170N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO264; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK180N15P IXFK180N15P.pdf
IXFK180N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1105.14 грн
3+ 1007.78 грн
IXFK180N25T IXFK(X)180N25T.pdf
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 364nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1283.39 грн
3+ 1169.71 грн
IXFK200N10P IXFK(X)200N10P.pdf
IXFK200N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK20N120P IXF_20N120P.pdf
IXFK20N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK210N30X3 300VProductBrief.pdf IXF_210N30X3.pdf
IXFK210N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Mounting: THT
Reverse recovery time: 190ns
Case: TO264
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK220N15P IXFK220N15P.pdf
IXFK220N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 220A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 220A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXFK220N17T2 IXFK(X)220N17T2.pdf
IXFK220N17T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK220N20X3 IXF_220N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFK220N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1319.98 грн
3+ 1204.08 грн
25+ 1133.35 грн
IXFK230N20T IXFK(X)230N20T.pdf
IXFK230N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1704.62 грн
2+ 1554.18 грн
3+ 1495.75 грн
IXFK240N15T2 IXFK(X)240N15T2.pdf
IXFK240N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 240A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 460nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK240N25X3 IXFK(X)240N25X3.pdf
IXFK240N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 345nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 177ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2169.95 грн
2+ 1979.37 грн
3+ 1905.19 грн
IXFK24N100Q3 IXFK(X)24N100Q3.pdf
IXFK24N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFK24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+998.19 грн
2+ 694.77 грн
5+ 632.45 грн
IXFK250N10P IXFK(X)250N10P.pdf
IXFK250N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Case: TO264
Gate charge: 205nC
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1570.47 грн
2+ 1432.06 грн
25+ 1365.08 грн
IXFK26N100P IXFK26N100P_IXFX26N100P.pdf
IXFK26N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2380.09 грн
2+ 2169.34 грн
25+ 2052.41 грн
IXFK26N120P IXFK(X)26N120P.pdf
IXFK26N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK27N80Q IXFK(X)27N80Q.pdf
IXFK27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 99 132 165 198 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 264 297 330 333  [ Наступна Сторінка >> ]