IXFH7N100P

IXFH7N100P Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+466.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH7N100P Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH7N100P за ціною від 496.86 грн до 883.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH7N100P IXFH7N100P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+502.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
IXFH7N100P IXFH7N100P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+522.36 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXFH7N100P IXFH7N100P Виробник : IXYS media-3319902.pdf MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-POLAR
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+883.31 грн
10+ 761.85 грн
30+ 600.96 грн
120+ 561.76 грн
270+ 496.86 грн
IXFH7N100P IXFH7N100P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH7N100P IXFH7N100P Виробник : IXYS IXF_7N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
On-state resistance: 1.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH7N100P IXFH7N100P Виробник : IXYS IXF_7N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
On-state resistance: 1.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
товар відсутній