![IXFH76N15T2 IXFH76N15T2](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/2D/F3/00/00/0/16338_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f55ae6487ff4139e26964e5e5e8dbeb7f97a7f06)
IXFH76N15T2 IXYS
![IXFA(H,P)76N15T2.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO247-3; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 447.97 грн |
3+ | 283.85 грн |
9+ | 267.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH76N15T2 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO247-3; 69ns, Reverse recovery time: 69ns, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 76A, On-state resistance: 22mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 350W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Gate charge: 97nC, Kind of channel: enhanced, Mounting: THT, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFH76N15T2 за ціною від 276.67 грн до 537.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH76N15T2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFH76N15T2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO247-3; 69ns Reverse recovery time: 69ns Drain-source voltage: 150V Drain current: 76A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 350W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 97nC Kind of channel: enhanced Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 228 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|