IXFH78N60X3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET ULTRA JCT 600V 78A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1018.48 грн |
| 10+ | 863.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH78N60X3 IXYS
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 78A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 39A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH78N60X3 за ціною від 602.13 грн до 1021.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH78N60X3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs DISCRETE MOSFET 78A 600V X3 TO |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IXFH78N60X3 | Виробник : Littelfuse |
Discrete MOSFET 78A 600V X3 TO247 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IXFH78N60X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W Reverse recovery time: 205ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 78A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 780W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 70nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IXFH78N60X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W Reverse recovery time: 205ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 78A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 780W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 70nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Mounting: THT Case: TO247-3 |
товар відсутній |