![IXFK120N20P IXFK120N20P](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_264_DSL.jpg)
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 980.56 грн |
10+ | 851.94 грн |
25+ | 720.61 грн |
50+ | 680.88 грн |
100+ | 640.46 грн |
250+ | 620.25 грн |
500+ | 588.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK120N20P IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 714W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK120N20P за ціною від 808.87 грн до 998.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 714W Polarisation: unipolar Gate charge: 152nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 100ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 120A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 714W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 714W Polarisation: unipolar Gate charge: 152nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 100ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 120A |
товар відсутній |