![IXFK180N15P IXFK180N15P](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/4C/8D/00/00/0/55492_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=218422aa1d96256f4041d372a37f8263511df256)
IXFK180N15P IXYS
![IXFK180N15P.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 920.95 грн |
3+ | 808.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK180N15P IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 180A TO264AA, Packaging: Box, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK180N15P за ціною від 884.75 грн до 1435.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK180N15P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK180N15P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK180N15P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 180A Power dissipation: 830W Case: TO264 On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK180N15P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK180N15P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFK180N15P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |