![IXFH6N120 IXFH6N120](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2263/TO-247_IXFH.jpg)
IXFH6N120 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh6n120_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 810.41 грн |
30+ | 631.65 грн |
120+ | 594.51 грн |
510+ | 505.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH6N120 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH6N120 за ціною від 515.43 грн до 980.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH6N120 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH6N120 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH6N120 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH6N120 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |