![IXFK120N25P IXFK120N25P](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/5faa04e059397ad96cfee59ee1187ca90deac873/littelfuse_power_semi_to-264_3_h_4r_1w2n_3l_image.jpg.jpg)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 832.33 грн |
300+ | 825.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK120N25P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK120N25P за ціною від 744.6 грн до 1059.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK120N25P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFK120N25P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFK120N25P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFK120N25P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A Power dissipation: 700W Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFK120N25P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFK120N25P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A Power dissipation: 700W Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |