![IXFK20N120P IXFK20N120P](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/5faa04e059397ad96cfee59ee1187ca90deac873/littelfuse_power_semi_to-264_3_h_4r_1w2n_3l_image.jpg.jpg)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2131.74 грн |
10+ | 1950.28 грн |
25+ | 1930.04 грн |
50+ | 1842.31 грн |
100+ | 1505.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK20N120P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK20N120P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK20N120P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXFK20N120P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Power dissipation: 780W Case: TO264 On-state resistance: 570mΩ Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IXFK20N120P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IXFK20N120P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXFK20N120P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Power dissipation: 780W Case: TO264 On-state resistance: 570mΩ Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |