![IXFK150N30X3 IXFK150N30X3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/401/TO264.jpg)
IXFK150N30X3 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_150n30x3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1387.88 грн |
25+ | 1107.57 грн |
100+ | 1038.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK150N30X3 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK150N30X3 за ціною від 956.86 грн до 1491.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK150N30X3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFK150N30X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFK150N30X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFK150N30X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFK150N30X3 | Виробник : IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO264 Mounting: THT Reverse recovery time: 167ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 150A On-state resistance: 8.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO264 Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 254nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFK150N30X3 | Виробник : IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO264 Mounting: THT Reverse recovery time: 167ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 150A On-state resistance: 8.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO264 Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 254nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |