IXFK250N10P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhanced
Case: TO264
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1344.35 грн |
| 2+ | 1180.3 грн |
| 3+ | 1179.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK250N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK250N10P за ціною від 1349.93 грн до 1836.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFK250N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Gate charge: 205nC Kind of channel: enhanced Case: TO264 Drain-source voltage: 100V Drain current: 250A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFK250N10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFK250N10P | Виробник : IXYS |
MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET |
на замовлення 300 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFK250N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFK250N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |