![IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/AC/2A/60/00/0/434890_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=670dd097d18a8a6efe0f269d73601c0157194e3c)
IXFH80N65X2-4 IXYS
![IXFH80N65X2-4.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 988.97 грн |
2+ | 742.65 грн |
4+ | 701.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH80N65X2-4 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFH80N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFH80N65X2-4 за ціною від 680.88 грн до 1186.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH80N65X2-4 | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HiPerFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFH80N65X2-4 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V |
на замовлення 48840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFH80N65X2-4 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFH80N65X2-4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IXFH80N65X2-4 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |