![IXFK230N20T IXFK230N20T](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/4C/8D/00/00/0/55492_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=218422aa1d96256f4041d372a37f8263511df256)
IXFK230N20T IXYS
![IXFK(X)230N20T.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1409.26 грн |
2+ | 1237.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK230N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1670W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK230N20T за ціною від 1068.61 грн до 1917.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK230N20T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 230A Power dissipation: 1670W Case: TO264 On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 358nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFK230N20T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1670W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFK230N20T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFK230N20T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXFK230N20T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |