![IXFK240N25X3 IXFK240N25X3](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/4C/8D/00/00/0/55492_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=218422aa1d96256f4041d372a37f8263511df256)
IXFK240N25X3 IXYS
![IXFK(X)240N25X3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 345nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 177ns
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1808.29 грн |
2+ | 1588.38 грн |
3+ | 1587.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK240N25X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFK240N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 240 A, 0.0041 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFK240N25X3 за ціною від 1604.91 грн до 2500.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK240N25X3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 240A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 345nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 177ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFK240N25X3 | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFK240N25X3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFK240N25X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFK240N25X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFK240N25X3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V |
товар відсутній |