![IXFK26N100P IXFK26N100P](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/4C/8D/00/00/0/55492_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=218422aa1d96256f4041d372a37f8263511df256)
IXFK26N100P IXYS
![IXFK26N100P_IXFX26N100P.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1983.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK26N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 26A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK26N100P за ціною від 2052.41 грн до 2380.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK26N100P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 26A Power dissipation: 780W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK26N100P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXFK26N100P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXFK26N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |