Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (137767) > Сторінка 1197 з 2297

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 229 458 687 916 1145 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1374 1603 1832 2061 2290 2297  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0924NDI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 2.5W; PG-TISON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TISON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0925ND-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 30W; PG-TISON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TISON-8
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.23 грн
31+ 35.4 грн
83+ 32.24 грн
500+ 31.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC097N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC098N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.78 грн
10+ 73.08 грн
22+ 48.23 грн
58+ 45.6 грн
500+ 43.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC105N10LSFG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC109N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC110N06NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 304A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC117N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 49A
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC118N10NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 11.8mΩ
Power dissipation: 114W
Drain current: 71A
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC120N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC120N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.16 грн
10+ 95.8 грн
18+ 57.11 грн
50+ 53.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N10LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Power dissipation: 114W
Drain current: 71A
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC12DN20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 50W
Drain current: 11.3A
Drain-source voltage: 200V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC130P03LSGAUMA1 BSC130P03LSGAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC130P03LSGAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -22.5A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -22.5A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC150N03LDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC160N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC16DN25NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC190N12NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 69W
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 120V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC190N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.77 грн
3+ 154.19 грн
8+ 139.69 грн
21+ 131.79 грн
25+ 130.03 грн
100+ 126.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC196N10NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 19.6mΩ
Power dissipation: 78W
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC22DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48 BSC22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC252N10NSFG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC265N10LSFG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC320N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC340N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+47.31 грн
50+ 21.35 грн
137+ 19.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC360N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC500N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC520N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC600N25NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC900N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD214SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.76 грн
19+ 15.05 грн
50+ 9.93 грн
100+ 8.43 грн
156+ 6.6 грн
428+ 6.25 грн
500+ 5.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.44 грн
14+ 19.89 грн
50+ 13.09 грн
100+ 11.86 грн
141+ 7.29 грн
389+ 6.85 грн
9000+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSD314SPEH6327XTSA1 BSD314SPEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD314SPEH6327XTSA-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD316SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD840NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.44 грн
14+ 20.44 грн
50+ 12.48 грн
100+ 10.89 грн
169+ 6.06 грн
463+ 5.71 грн
75000+ 5.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSF030NE2LQ-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSF035NE2LQXUMA1 BSF035NE2LQXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSF035NE2LQ-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 69A; 28W
Technology: OptiMOS™
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Mounting: SMD
On-state resistance: 3.5mΩ
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 25V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 69A
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSF134N10NJ3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 28W
Case: CanPAK™ SJ; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSF450NE7NH3XUMA1 BSF450NE7NH3XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSF450NE7NH3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W
Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 15A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSG0811NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
товар відсутній
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSOP-6
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 41mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.09 грн
10+ 42.52 грн
51+ 20.21 грн
140+ 19.06 грн
3000+ 18.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.7A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL214NH6327XTSA1 BSL214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL214NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; TSOP6
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL215CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.5/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.08 грн
25+ 29.65 грн
47+ 21.79 грн
129+ 20.65 грн
1000+ 20.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL296SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.56Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL308CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.12 грн
10+ 29.83 грн
40+ 24.16 грн
50+ 22.93 грн
53+ 19.33 грн
145+ 18.27 грн
400+ 17.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL316CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+26.78 грн
25+ 16.97 грн
82+ 12.48 грн
225+ 11.86 грн
3000+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSL372SNH6327XTSA1 BSL372SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL372SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL606SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.15 грн
25+ 23.54 грн
124+ 21.61 грн
250+ 20.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSL802SNH6327XTSA1 BSL802SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL802SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6
Technology: OptiMOS™ 2
Case: TSOP6
Mounting: SMD
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSM200GB60DLC BSM200GB60DLC INFINEON TECHNOLOGIES BSM200GB60DLC.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 730W
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDI-DTE.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 2.5W; PG-TISON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TISON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC0925NDATMA1 BSC0925ND-DTE.pdf
BSC0925NDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 30W; PG-TISON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TISON-8
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG-DTE.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.23 грн
31+ 35.4 грн
83+ 32.24 грн
500+ 31.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NS-DTE.pdf
BSC097N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5-DTE.pdf
BSC098N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSG-DTE.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.78 грн
10+ 73.08 грн
22+ 48.23 грн
58+ 45.6 грн
500+ 43.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSFG-DTE.pdf
BSC105N10LSFGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3G-DTE.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3G-DTE.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 304A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5-DTE.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 49A
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSG-DTE.pdf
BSC118N10NSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 11.8mΩ
Power dissipation: 114W
Drain current: 71A
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSG-DTE.pdf
BSC120N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSG-DTE.pdf
BSC120N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3G-DTE.pdf
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.16 грн
10+ 95.8 грн
18+ 57.11 грн
50+ 53.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSG-DTE.pdf
BSC123N10LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Power dissipation: 114W
Drain current: 71A
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3G-DTE.pdf
BSC12DN20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 50W
Drain current: 11.3A
Drain-source voltage: 200V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC130P03LSGAUMA1 BSC130P03LSGAUMA1-DTE.pdf
BSC130P03LSGAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -22.5A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -22.5A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG-DTE.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3G-DTE.pdf
BSC160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3G-DTE.pdf
BSC16DN25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3G-DTE.pdf
BSC190N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 69W
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 120V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G-DTE.pdf
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.77 грн
3+ 154.19 грн
8+ 139.69 грн
21+ 131.79 грн
25+ 130.03 грн
100+ 126.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSG-DTE.pdf
BSC196N10NSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 19.6mΩ
Power dissipation: 78W
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFG-DTE.pdf
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFG-DTE.pdf
BSC265N10LSFGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3G-DTE.pdf
BSC320N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3G-DTE.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+47.31 грн
50+ 21.35 грн
137+ 19.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3G-DTE.pdf
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3G-DTE.pdf
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3G-DTE.pdf
BSC520N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3G-DTE.pdf
BSC600N25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3G-DTE.pdf
BSC900N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1.pdf
BSD214SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.76 грн
19+ 15.05 грн
50+ 9.93 грн
100+ 8.43 грн
156+ 6.6 грн
428+ 6.25 грн
500+ 5.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1.pdf
BSD235NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
14+ 19.89 грн
50+ 13.09 грн
100+ 11.86 грн
141+ 7.29 грн
389+ 6.85 грн
9000+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSD314SPEH6327XTSA1 BSD314SPEH6327XTSA-DTE.pdf
BSD314SPEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNH6327XTSA1.pdf
BSD316SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
14+ 20.44 грн
50+ 12.48 грн
100+ 10.89 грн
169+ 6.06 грн
463+ 5.71 грн
75000+ 5.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQ-DTE.pdf
BSF030NE2LQXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSF035NE2LQXUMA1 BSF035NE2LQ-DTE.pdf
BSF035NE2LQXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 69A; 28W
Technology: OptiMOS™
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Mounting: SMD
On-state resistance: 3.5mΩ
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 25V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 69A
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3G-DTE.pdf
BSF134N10NJ3GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 28W
Case: CanPAK™ SJ; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSF450NE7NH3XUMA1 BSF450NE7NH3-DTE.pdf
BSF450NE7NH3XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W
Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 15A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
товар відсутній
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL207SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSOP-6
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 41mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.09 грн
10+ 42.52 грн
51+ 20.21 грн
140+ 19.06 грн
3000+ 18.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf
BSL211SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.7A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL214NH6327XTSA1 BSL214NH6327XTSA1.pdf
BSL214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; TSOP6
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1.pdf
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.5/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.08 грн
25+ 29.65 грн
47+ 21.79 грн
129+ 20.65 грн
1000+ 20.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1.pdf
BSL296SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.56Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL307SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1.pdf
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL308PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.12 грн
10+ 29.83 грн
40+ 24.16 грн
50+ 22.93 грн
53+ 19.33 грн
145+ 18.27 грн
400+ 17.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.78 грн
25+ 16.97 грн
82+ 12.48 грн
225+ 11.86 грн
3000+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSL372SNH6327XTSA1 BSL372SNH6327XTSA1.pdf
BSL372SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1.pdf
BSL606SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.15 грн
25+ 23.54 грн
124+ 21.61 грн
250+ 20.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSL802SNH6327XTSA1 BSL802SNH6327XTSA1.pdf
BSL802SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6
Technology: OptiMOS™ 2
Case: TSOP6
Mounting: SMD
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSM200GB60DLC BSM200GB60DLC.pdf
BSM200GB60DLC
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 730W
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 229 458 687 916 1145 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1374 1603 1832 2061 2290 2297  [ Наступна Сторінка >> ]