BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA, Supplier Device Package: PG-TSOP6-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSL606SNH6327XTSA1 за ціною від 12.63 грн до 45.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSOP-6 |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSOP-6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|