Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC160N10NS3GATMA1

BSC160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC160N10NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 207642-7
Price: 34.98 UAH
Availability: InStock

bsc160n10ns3rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122604018.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	34.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0139 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC160N10NS3GATMA1 за ціною від 37.77 грн до 111.4 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	39.33 грн
10000+	37.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	40.73 грн
10000+	38.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	42.15 грн
10000+	40.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC160N10NS3+Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226040189a7f47

Description: MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	43.97 грн
10000+	40.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	44.02 грн
10000+	41.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS16200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0139 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 23462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	58.16 грн
250+	58 грн
1000+	53.57 грн
3000+	49.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 20655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
207+	59.32 грн
213+	57.48 грн
231+	53 грн
238+	49.64 грн
500+	45.86 грн
1000+	41.76 грн
2000+	41.23 грн

Мінімальне замовлення: 207

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0139 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 23212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
13+	64.1 грн
50+	58.16 грн
250+	58 грн
1000+	53.57 грн
3000+	49.24 грн

Мінімальне замовлення: 13

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSC160N10NS3_DS_v02_04_en-1731167.pdf

MOSFETs N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 15187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	102.87 грн
10+	88.42 грн
100+	64.68 грн
500+	57.21 грн
1000+	46.56 грн
2500+	45.78 грн
5000+	40.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

на замовлення 12437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	111.4 грн
10+	87.95 грн
100+	68.41 грн
500+	54.41 грн
1000+	44.33 грн
2000+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSC160N10NS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товар відсутній