BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSD223PH6327XTSA1 за ціною від 3.82 грн до 23.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.39A Power dissipation: 0.25W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.39A Power dissipation: 0.25W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 33827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active |
на замовлення 65328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch DPAK-2 |
на замовлення 11169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSD223PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 33827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|