Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC100N03MSGATMA1
BSC100N03MSGATMA1

BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC100N03MSGATMA1 за ціною від 14.58 грн до 54.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC100N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de73c33c039c Description: MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+19.41 грн
10000+ 17.31 грн
25000+ 17.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.89 грн
25+ 24.37 грн
26+ 24.13 грн
100+ 20.46 грн
250+ 18.75 грн
500+ 16.33 грн
1000+ 14.8 грн
3000+ 14.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
471+25.99 грн
536+ 22.85 грн
541+ 22.62 грн
596+ 19.79 грн
1000+ 16.6 грн
3000+ 15.7 грн
Мінімальне замовлення: 471
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
460+26.61 грн
469+ 26.09 грн
Мінімальне замовлення: 460
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC100N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de73c33c039c Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.88 грн
500+ 23.22 грн
1000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC100N03MSG_DS_v02_01_en-1226358.pdf MOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 17917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.31 грн
10+ 35.77 грн
100+ 23.63 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC100N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de73c33c039c Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.56 грн
19+ 43.21 грн
100+ 28.88 грн
500+ 23.22 грн
1000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC100N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de73c33c039c Description: MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 44211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.18 грн
10+ 45.04 грн
100+ 31.15 грн
500+ 24.43 грн
1000+ 20.79 грн
2000+ 18.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній