BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 109.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V.
Інші пропозиції BSC600N25NS3GATMA1 за ціною від 103.15 грн до 260.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
на замовлення 7636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 3313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |