BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSL211SPH6327XTSA1 за ціною від 13.35 грн до 52.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSL211SPH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL211SPH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL211SPH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V |
на замовлення 8233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL211SPH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH |
на замовлення 11965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL211SPH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL211SPH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL211SPH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL211SPH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.7A Power dissipation: 2W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSL211SPH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSL211SPH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSL211SPH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.7A Power dissipation: 2W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |