Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC265N10LSFGATMA1
BSC265N10LSFGATMA1

BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC265N10LSFGATMA1 за ціною від 28.73 грн до 86.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46 Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46 Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 19668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.56 грн
10+ 46.97 грн
100+ 36.52 грн
500+ 29.05 грн
1000+ 28.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 29600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
153+79.09 грн
180+ 67.38 грн
210+ 57.73 грн
221+ 52.79 грн
500+ 45.67 грн
1000+ 41.2 грн
5000+ 36.18 грн
10000+ 33.98 грн
20000+ 33.9 грн
Мінімальне замовлення: 153
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+81.31 грн
50+ 60.28 грн
250+ 51.05 грн
1000+ 42.25 грн
3000+ 34.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC265N10LSFG_DS_v02_08_en-1226262.pdf MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 13554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.18 грн
10+ 65.16 грн
100+ 45.86 грн
500+ 37.91 грн
1000+ 29.76 грн
2500+ 29.69 грн
5000+ 28.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC265N10LSFG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC265N10LSFG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній