Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC100N06LS3GATMA1
BSC100N06LS3GATMA1

BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

490bsc100n06ls3_rev2.2.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC100N06LS3GATMA1 за ціною від 24.44 грн до 115.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+25.52 грн
10000+ 24.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.61 грн
10000+ 33.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+37.27 грн
10000+ 35.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 80834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+56.74 грн
500+ 44.6 грн
1000+ 32.35 грн
5000+ 29.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
161+76.1 грн
164+ 74.64 грн
209+ 58.6 грн
250+ 55.93 грн
500+ 43.88 грн
1000+ 32.13 грн
3000+ 28.02 грн
Мінімальне замовлення: 161
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.36 грн
10+ 62.75 грн
100+ 48.83 грн
500+ 38.84 грн
1000+ 31.64 грн
2000+ 29.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+85.55 грн
10+ 70.66 грн
25+ 69.31 грн
100+ 52.47 грн
250+ 48.09 грн
500+ 39.11 грн
1000+ 29.83 грн
3000+ 26.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 34122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.88 грн
10+ 71.79 грн
100+ 48.39 грн
500+ 40.98 грн
1000+ 31.39 грн
2500+ 30.76 грн
5000+ 30.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+96.54 грн
7+ 52.76 грн
22+ 39.75 грн
59+ 37.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
127+96.73 грн
145+ 84.69 грн
169+ 72.46 грн
200+ 66.24 грн
500+ 57.33 грн
1000+ 40.1 грн
5000+ 33.72 грн
10000+ 32.41 грн
Мінімальне замовлення: 127
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 80834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+101.29 грн
11+ 78.1 грн
100+ 56.74 грн
500+ 44.6 грн
1000+ 32.35 грн
5000+ 29.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.85 грн
5+ 65.74 грн
22+ 47.7 грн
59+ 45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC100N06LS3GATMA1
Код товару: 116160 		BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній