![BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/22/20/30/34/234235/smn_/manual/bsc007n04ls6atma1.jpg)
BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 20.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC150N03LDGATMA1 за ціною від 22.13 грн до 83.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 26W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 26W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active |
на замовлення 50376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 26W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 26W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |