BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 16.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC097N06NSATMA1 за ціною від 23 грн до 79.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm |
на замовлення 2522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8 |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V |
на замовлення 19261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 49828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC097N06NSATMA1 Код товару: 124600 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 46A Power dissipation: 36W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 46A Power dissipation: 36W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |