Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC109N10NS3GATMA1
BSC109N10NS3GATMA1

BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc109n10ns3rev2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC109N10NS3GATMA1 за ціною від 38.64 грн до 118.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+46.55 грн
10000+ 42.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
205+59.73 грн
212+ 57.79 грн
230+ 53.31 грн
236+ 50.03 грн
500+ 46.14 грн
1000+ 42.11 грн
Мінімальне замовлення: 205
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+65.13 грн
11+ 60.06 грн
25+ 58.18 грн
100+ 38.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+87.04 грн
50+ 67.74 грн
250+ 59.82 грн
1000+ 50.92 грн
3000+ 42.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 31943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.27 грн
10+ 93.1 грн
100+ 72.42 грн
500+ 57.6 грн
1000+ 46.92 грн
2000+ 44.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC109N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 78W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC109N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 78W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній