BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 599+ | 20.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.0275 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC340N08NS3GATMA1 за ціною від 16.07 грн до 115.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V |
на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 145000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 18790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 598 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V |
на замовлення 91005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 24360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.0275 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 632297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon |
Транзистор польовий TDSON-8 N-MOSFET Vds=80V, Id=23A, Rds=0,034Ohm, Pd=32W |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |