Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC190N15NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 436474-7
Price: 72 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC190N15NS3GATMA1 за ціною від 82.23 грн до 220.58 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	87.63 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	94.52 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
108+	111.72 грн

Мінімальне замовлення: 108

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	123.73 грн
8+	116.41 грн
21+	110.55 грн
25+	108.36 грн
100+	106.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	149.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS16202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 9952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	153.75 грн
250+	136.4 грн
1000+	102.5 грн
3000+	92.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 2154 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	179.77 грн
3+	154.19 грн
8+	139.69 грн
21+	132.66 грн
25+	130.03 грн
100+	127.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 9752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	179.77 грн
50+	153.75 грн
250+	136.4 грн
1000+	102.5 грн
3000+	92.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 19659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
64+	188.85 грн
76+	158.71 грн
100+	149.67 грн
200+	143.36 грн
500+	120.18 грн
1000+	109.35 грн
2000+	106.76 грн
5000+	103.32 грн

Мінімальне замовлення: 64

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V

на замовлення 12577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	202.24 грн
10+	161.51 грн
100+	128.54 грн
500+	102.08 грн
1000+	86.61 грн
2000+	82.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSC190N15NS3_DS_v02_04_en-1731126.pdf

MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 21669 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	220.58 грн
10+	180.25 грн
100+	125.11 грн
250+	115.97 грн
500+	104.73 грн
1000+	85.75 грн
5000+	82.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon

N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	84.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній