Продукція > INFINEON > BSC0925NDATMA1
BSC0925NDATMA1

BSC0925NDATMA1 INFINEON

INFNS27796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 30W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 30W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.46 грн
500+ 33.1 грн
1000+ 23.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0925NDATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 30W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 30W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC0925NDATMA1 за ціною від 21.64 грн до 57.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914 Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 8385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.23 грн
10+ 35.35 грн
100+ 27.51 грн
500+ 21.88 грн
1000+ 21.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 30W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 30W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+57.38 грн
17+ 48.63 грн
100+ 38.46 грн
500+ 33.1 грн
1000+ 23.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11946bsc0925nd_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
товар відсутній
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0925ND-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 30W; PG-TISON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TISON-8
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914 Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
товар відсутній
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0925ND-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 30W; PG-TISON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TISON-8
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній