Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC117N08NS5ATMA1
BSC117N08NS5ATMA1

BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC117N08NS5ATMA1 за ціною від 36.35 грн до 109.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC117N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae97632721c1b Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+39.57 грн
10000+ 36.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 52558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.72 грн
250+ 62.92 грн
1000+ 44.44 грн
3000+ 39.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+80.26 грн
162+ 74.64 грн
192+ 62.79 грн
204+ 57.25 грн
500+ 52.83 грн
1000+ 45.89 грн
Мінімальне замовлення: 151
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
137+88.4 грн
138+ 87.57 грн
177+ 68.12 грн
250+ 65.03 грн
500+ 55.37 грн
1000+ 41.21 грн
3000+ 39.98 грн
Мінімальне замовлення: 137
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 52558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+95.4 грн
50+ 70.72 грн
250+ 62.92 грн
1000+ 44.44 грн
3000+ 39.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC117N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae97632721c1b Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 24370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.36 грн
10+ 79.14 грн
100+ 61.56 грн
500+ 48.97 грн
1000+ 39.89 грн
2000+ 37.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+102.29 грн
10+ 83.25 грн
25+ 82.48 грн
100+ 63.95 грн
250+ 58.51 грн
500+ 48.83 грн
1000+ 37.77 грн
3000+ 37.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC117N08NS5_DataSheet_v02_01_EN-3360867.pdf MOSFETs N-Ch 80V 49A TDSON-8
на замовлення 76798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.88 грн
10+ 88.1 грн
100+ 59.74 грн
500+ 50.68 грн
1000+ 38.87 грн
5000+ 36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC117N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 49A
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC117N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 49A
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній