Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC123N08NS3GATMA1

BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 6450013-7
Price: 21.31 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
16+	21.31 грн

Мінімальне замовлення: 16

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC123N08NS3GATMA1 за ціною від 21.31 грн до 128.19 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	21.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	36.79 грн
10000+	35.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	39.41 грн
10000+	37.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC123N08NS3G_rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae80eb8555625

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	42.27 грн
10000+	38.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	42.58 грн
10000+	40.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	45.86 грн
10000+	43.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
265+	46.17 грн
289+	42.4 грн
298+	41.18 грн

Мінімальне замовлення: 265

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	69.42 грн
10+	61.5 грн
100+	52.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 39655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
159+	77.36 грн
170+	71.96 грн
203+	60.54 грн
214+	55.23 грн
500+	50.96 грн
1000+	44.2 грн
2000+	41.67 грн
5000+	40.63 грн
10000+	39.4 грн

Мінімальне замовлення: 159

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Power dissipation: 66W
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	100.5 грн
10+	77.15 грн
21+	43.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V

на замовлення 65425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	107.59 грн
10+	84.57 грн
100+	65.76 грн
500+	52.31 грн
1000+	42.61 грн
2000+	40.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSC123N08NS3G_DS_v02_05_en-1226212.pdf

MOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 59223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	115.21 грн
10+	93.29 грн
100+	62.92 грн
500+	53.33 грн
1000+	40.84 грн
2500+	40.7 грн
5000+	38.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 2887 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	120.59 грн
10+	96.14 грн
21+	52.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 83574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	128.19 грн
10+	97.33 грн
100+	72.09 грн
500+	56.73 грн
1000+	40.15 грн
5000+	37.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSC123N08NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)