Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC500N20NS3GATMA1
BSC500N20NS3GATMA1

BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V.

Інші пропозиції BSC500N20NS3GATMA1 за ціною від 61.07 грн до 162.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3 Description: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.27 грн
10+ 119.93 грн
100+ 95.41 грн
500+ 75.76 грн
1000+ 64.28 грн
2000+ 61.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC500N20NS3_G_DataSheet_v02_01_EN-3360765.pdf MOSFET N-Ch 200V 24A TDSON-8
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.61 грн
10+ 133.04 грн
100+ 91.99 грн
250+ 89.2 грн
500+ 75.96 грн
1000+ 64.74 грн
2500+ 64.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 173bsc500n20ns3grev2.0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC500N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC500N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній