![BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/2/22/7/56/47/311/smn_/manual/sot_363_.jpg_472149771.jpg)
BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSD235NH6327XTSA1 за ціною від 5.16 грн до 27.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSD235NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSD235NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 25100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSD235NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 24250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSD235NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 350720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSD235NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSD235NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 36663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSD235NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2170 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|