Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC098N10NS5ATMA1
BSC098N10NS5ATMA1

BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSC098N10NS5ATMA1 за ціною від 42.42 грн до 133.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+47.8 грн
10000+ 44.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
227+53.25 грн
Мінімальне замовлення: 227
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+71.61 грн
500+ 60.4 грн
1000+ 45.37 грн
5000+ 43.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC098N10NS5_DataSheet_v02_02_EN-3360728.pdf MOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5
на замовлення 16732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.94 грн
10+ 79.02 грн
100+ 58.82 грн
250+ 57.01 грн
500+ 51.36 грн
1000+ 43.77 грн
2500+ 43.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 13384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.07 грн
10+ 88.13 грн
100+ 70.13 грн
500+ 55.69 грн
1000+ 47.25 грн
2000+ 44.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+115.56 грн
10+ 96.7 грн
25+ 95.73 грн
100+ 74.6 грн
250+ 67.56 грн
500+ 55.45 грн
1000+ 42.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+133.69 грн
10+ 102.41 грн
100+ 71.61 грн
500+ 60.4 грн
1000+ 45.37 грн
5000+ 43.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC098N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC098N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній