BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies


4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA, Supplier Device Package: PG-TSOP6-6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSL308PEH6327XTSA1 за ціною від 12.42 грн до 61.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
784+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 784
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.21 грн
6000+ 15.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.51 грн
6000+ 15.06 грн
9000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.4 грн
6000+ 16.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.31 грн
26+ 23.38 грн
27+ 23.26 грн
100+ 19.12 грн
250+ 17.6 грн
500+ 15.3 грн
1000+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 24
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+27.7 грн
16+ 24.03 грн
40+ 20.21 грн
50+ 19.18 грн
53+ 16.17 грн
145+ 15.28 грн
400+ 14.7 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
395+30.98 грн
425+ 28.84 грн
426+ 28.74 грн
505+ 23.39 грн
1000+ 20.48 грн
2000+ 19.48 грн
3000+ 18.61 грн
Мінімальне замовлення: 395
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.23 грн
10+ 29.94 грн
40+ 24.25 грн
50+ 23.01 грн
53+ 19.4 грн
145+ 18.34 грн
400+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
366+33.43 грн
394+ 31.09 грн
395+ 30.98 грн
500+ 25.16 грн
1000+ 22.02 грн
2000+ 21.06 грн
3000+ 20.09 грн
Мінімальне замовлення: 366
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+34.9 грн
500+ 26.23 грн
1000+ 19.33 грн
3000+ 17.16 грн
6000+ 16.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.49 грн
10+ 36.22 грн
100+ 25.1 грн
500+ 19.68 грн
1000+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSL308PE_DS_v02_03_en-1226247.pdf MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 20065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+46.66 грн
10+ 39.26 грн
100+ 24.05 грн
500+ 20.17 грн
1000+ 16.44 грн
3000+ 15.02 грн
6000+ 14.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.33 грн
16+ 50.09 грн
100+ 34.9 грн
500+ 26.23 грн
1000+ 19.33 грн
3000+ 17.16 грн
6000+ 16.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSL308PEH6327XTSA1
Код товару: 163576
Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній