BSF030NE2LQXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.91 грн |
10+ | 69.11 грн |
100+ | 53.84 грн |
500+ | 41.74 грн |
1000+ | 32.95 грн |
2000+ | 30.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSF030NE2LQXUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W, Mounting: SMD, Power dissipation: 28W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±25V, Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 75A, On-state resistance: 3mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BSF030NE2LQXUMA1 за ціною від 46.76 грн до 94.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSF030NE2LQXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BSF030NE2LQXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W Mounting: SMD Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2 Drain-source voltage: 25V Drain current: 75A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
BSF030NE2LQXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
BSF030NE2LQXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W Mounting: SMD Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2 Drain-source voltage: 25V Drain current: 75A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |