![BSL214NH6327XTSA1 BSL214NH6327XTSA1](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/19/7E/00/00/0/59281_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=cf3ec5ddf71992a47a503b8512d175338e95ee8f)
BSL214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
![BSL214NH6327XTSA1.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; TSOP6
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSL214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; TSOP6, Mounting: SMD, Case: TSOP6, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 2, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.5A, On-state resistance: 0.25Ω, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 0.5W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BSL214NH6327XTSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSL214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BSL214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BSL214NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; TSOP6 Mounting: SMD Case: TSOP6 Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W |
товар відсутній |