Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (137832) > Сторінка 1235 з 2298

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 229 458 687 916 1145 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1374 1603 1832 2061 2290 2298  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFSL3206PBF IRFSL3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL3207ZPBF IRFSL3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4010pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: TO262
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL4310ZPBF IRFSL4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO262
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO262
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL4510PBF IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFSL4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d IRFSL7430PBF THT N channel transistors
товар відсутній
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1kA
Mounting: THT
Case: TO262
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.63 грн
10+ 101.27 грн
14+ 78.19 грн
37+ 73.8 грн
500+ 72.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFSL7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5 IRFSL7440PBF THT N channel transistors
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.67 грн
18+ 57.11 грн
50+ 53.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfts8342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+35.67 грн
25+ 23.72 грн
59+ 17.48 грн
160+ 16.52 грн
3000+ 15.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfts9342pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -5.8A
Drain-source voltage: -30V
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.22 грн
11+ 25.64 грн
50+ 20.82 грн
87+ 11.86 грн
239+ 11.25 грн
9000+ 10.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.07 грн
10+ 55.93 грн
29+ 36.2 грн
78+ 34.26 грн
525+ 33.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU13N20DPBF IRFU13N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.12 грн
30+ 36.4 грн
81+ 33.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU2405PBF IRFU2405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU3910PBF IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+96.51 грн
5+ 55.38 грн
10+ 42.52 грн
27+ 38.04 грн
74+ 35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFU4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.75 грн
5+ 94.89 грн
15+ 70.29 грн
41+ 65.89 грн
450+ 64.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU4615PBF IRFU4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4615pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.15 грн
10+ 70.25 грн
19+ 55.35 грн
51+ 52.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU5505PBF IRFU5505PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505pbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU7440PBF IRFU7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFU7440PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.28 грн
10+ 51.55 грн
38+ 27.06 грн
105+ 25.57 грн
9000+ 24.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.58 грн
10+ 33.12 грн
43+ 24.25 грн
117+ 22.93 грн
500+ 21.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.12 грн
10+ 57.94 грн
37+ 27.76 грн
102+ 26.27 грн
10000+ 25.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ44EPBF IRFZ44EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.42 грн
10+ 68.97 грн
21+ 49.55 грн
57+ 46.83 грн
1000+ 45.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44espbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ44NLPBF IRFZ44NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44ns.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.46 грн
10+ 67.65 грн
18+ 57.99 грн
49+ 55.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.55 грн
34+ 32.3 грн
91+ 29.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.24 грн
10+ 88.5 грн
18+ 57.11 грн
50+ 53.59 грн
1000+ 51.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ44VZPBF IRFZ44VZPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44VZPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.86 грн
10+ 83.02 грн
18+ 59.74 грн
48+ 56.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ44VZSPBF IRFZ44VZSPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44vzpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.75 грн
10+ 61.22 грн
23+ 44.72 грн
63+ 42.26 грн
500+ 42 грн
1000+ 40.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44ZSTRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46ns.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+92.15 грн
10+ 73.8 грн
16+ 64.14 грн
44+ 60.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+70.96 грн
10+ 56.84 грн
27+ 38.66 грн
73+ 36.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.58 грн
10+ 67.15 грн
27+ 38.66 грн
74+ 36.02 грн
10000+ 35.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRG4BC40W-LPBF IRG4BC40W-LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4bc40wspbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; TO262
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP INFINEON TECHNOLOGIES IRG4BC40W-STRRP.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRG4IBC10UDPBF IRG4IBC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ibc10udpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3.9A; 25W; TO220AB; single transistor
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 3.9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4IBC30WPBF IRG4IBC30WPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ibc30wpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 17A; 45W; TO220AB; single transistor
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 45W
Type of transistor: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Collector current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ph20kdpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 60W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ph20kpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 60W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4PSC71KPBF IRG4PSC71KPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4psc71k.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 85A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 85A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4PSH71KDPBF IRG4PSH71KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4psh71kdpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 78A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4psh71udpbf.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4RC10KDTRPBF IRG4RC10KDTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRG4RC10KDTRPBF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 38W
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRG4RC10UDPBF IRG4RC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4rc10udpbf.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8.5A; 38W; DPAK; single transistor
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8.5A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single transistor
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG7PH35UD-EP IRG7PH35UD-EP INFINEON TECHNOLOGIES irg7ph35udpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRG7PH44K10D-EPBF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGB6B60KDPBF IRGB6B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irgs6b60kdpbf.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IRGIB15B60KD1P IRGIB15B60KD1P INFINEON TECHNOLOGIES irgib15b60kd1p.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 52W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 52W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGIB7B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS09862-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Part_Number_Guide_Web.pdf IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
товар відсутній
IRGP30B60KD-EP IRGP30B60KD-EP INFINEON TECHNOLOGIES irgp30b60kd-epbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 304W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 304W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRGP4066DPBF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGP4263DPBF IRGP4263DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRGP4263DPBF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 90A; 325W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 90A
Power dissipation: 325W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGS6B60KDPBF IRGS6B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irgs6b60kdpbf.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFSL3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL3207ZPBF irfs3207zpbf.pdf
IRFSL3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL4010PBF description irfs4010pbf.pdf
IRFSL4010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: TO262
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFSL4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO262
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL4410ZPBF irfb4410zpbf.pdf
IRFSL4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO262
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL4510PBF IRFSL4510PBF.pdf
IRFSL4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL7430PBF Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL7430PBF THT N channel transistors
товар відсутній
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFSL7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1kA
Mounting: THT
Case: TO262
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.63 грн
10+ 101.27 грн
14+ 78.19 грн
37+ 73.8 грн
500+ 72.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFSL7440PBF irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL7440PBF THT N channel transistors
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.67 грн
18+ 57.11 грн
50+ 53.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFTS8342TRPBF irfts8342pbf.pdf
IRFTS8342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.67 грн
25+ 23.72 грн
59+ 17.48 грн
160+ 16.52 грн
3000+ 15.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFTS9342TRPBF irfts9342pbf.pdf
IRFTS9342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -5.8A
Drain-source voltage: -30V
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.22 грн
11+ 25.64 грн
50+ 20.82 грн
87+ 11.86 грн
239+ 11.25 грн
9000+ 10.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFU120NPBF irfr120n.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.07 грн
10+ 55.93 грн
29+ 36.2 грн
78+ 34.26 грн
525+ 33.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU13N20DPBF irfr13n20dpbf.pdf
IRFU13N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU220NPBF irfr220n.pdf
IRFU220NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.12 грн
30+ 36.4 грн
81+ 33.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU2405PBF description irfr2405.pdf
IRFU2405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU3607PBF irfr3607pbf.pdf
IRFU3607PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU3910PBF description irfr3910.pdf
IRFU3910PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.51 грн
5+ 55.38 грн
10+ 42.52 грн
27+ 38.04 грн
74+ 35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU4510PBF IRFU4510PBF.pdf
IRFU4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.75 грн
5+ 94.89 грн
15+ 70.29 грн
41+ 65.89 грн
450+ 64.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU4615PBF description irfr4615pbf.pdf
IRFU4615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU5305PBF description irfr5305pbf.pdf
IRFU5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.15 грн
10+ 70.25 грн
19+ 55.35 грн
51+ 52.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU5505PBF irfr5505pbf.pdf
IRFU5505PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU7440PBF IRFU7440PBF.pdf
IRFU7440PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9024NPBF description irfr9024n.pdf
IRFU9024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.28 грн
10+ 51.55 грн
38+ 27.06 грн
105+ 25.57 грн
9000+ 24.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ24NPBF description irfz24n.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.58 грн
10+ 33.12 грн
43+ 24.25 грн
117+ 22.93 грн
500+ 21.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFZ34NPBF irfz34n.pdf
IRFZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.12 грн
10+ 57.94 грн
37+ 27.76 грн
102+ 26.27 грн
10000+ 25.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ44EPBF description irfz44e.pdf
IRFZ44EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.42 грн
10+ 68.97 грн
21+ 49.55 грн
57+ 46.83 грн
1000+ 45.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ44ESTRLPBF irfz44espbf.pdf
IRFZ44ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ44NLPBF irfz44ns.pdf
IRFZ44NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.46 грн
10+ 67.65 грн
18+ 57.99 грн
49+ 55.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.55 грн
34+ 32.3 грн
91+ 29.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ44NSTRLPBF irfz44nspbf.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ44VPBF irfz44v.pdf
IRFZ44VPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.24 грн
10+ 88.5 грн
18+ 57.11 грн
50+ 53.59 грн
1000+ 51.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ44VZPBF IRFZ44VZPBF.pdf
IRFZ44VZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.86 грн
10+ 83.02 грн
18+ 59.74 грн
48+ 56.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ44VZSPBF irfz44vzpbf.pdf
IRFZ44VZSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44ZPBF description irfz44z.pdf
IRFZ44ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.75 грн
10+ 61.22 грн
23+ 44.72 грн
63+ 42.26 грн
500+ 42 грн
1000+ 40.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF.pdf
IRFZ44ZSTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ46NLPBF description irfz46ns.pdf
IRFZ46NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+92.15 грн
10+ 73.8 грн
16+ 64.14 грн
44+ 60.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ46NPBF description irfz46n.pdf
IRFZ46NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.96 грн
10+ 56.84 грн
27+ 38.66 грн
73+ 36.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.58 грн
10+ 67.15 грн
27+ 38.66 грн
74+ 36.02 грн
10000+ 35.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRG4BC40W-LPBF irg4bc40wspbf.pdf
IRG4BC40W-LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; TO262
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP.pdf
IRG4BC40W-STRRP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRG4IBC10UDPBF irg4ibc10udpbf.pdf
IRG4IBC10UDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3.9A; 25W; TO220AB; single transistor
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 3.9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4IBC30WPBF irg4ibc30wpbf.pdf
IRG4IBC30WPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 17A; 45W; TO220AB; single transistor
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 45W
Type of transistor: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Collector current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4PH20KDPBF irg4ph20kdpbf.pdf
IRG4PH20KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 60W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4PH20KPBF irg4ph20kpbf.pdf
IRG4PH20KPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 60W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4PSC71KPBF irg4psc71k.pdf
IRG4PSC71KPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 85A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 85A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4PSH71KDPBF irg4psh71kdpbf.pdf
IRG4PSH71KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 78A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4PSH71UDPBF description irg4psh71udpbf.pdf
IRG4PSH71UDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG4RC10KDTRPBF IRG4RC10KDTRPBF.pdf
IRG4RC10KDTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 38W
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRG4RC10UDPBF irg4rc10udpbf.pdf
IRG4RC10UDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8.5A; 38W; DPAK; single transistor
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8.5A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single transistor
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG7PH35UD-EP irg7ph35udpbf.pdf
IRG7PH35UD-EP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF.pdf
IRG7PH44K10D-EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGB6B60KDPBF description irgs6b60kdpbf.pdf
IRGB6B60KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IRGIB15B60KD1P irgib15b60kd1p.pdf
IRGIB15B60KD1P
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 52W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 52W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGIB7B60KDPBF IRSDS09862-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
товар відсутній
IRGP30B60KD-EP irgp30b60kd-epbf.pdf
IRGP30B60KD-EP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 304W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 304W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF.pdf
IRGP4066DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGP4263DPBF IRGP4263DPBF.pdf
IRGP4263DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 90A; 325W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 90A
Power dissipation: 325W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGS6B60KDPBF irgs6b60kdpbf.pdf
IRGS6B60KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 229 458 687 916 1145 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1374 1603 1832 2061 2290 2298  [ Наступна Сторінка >> ]