![IRFU4510PBF IRFU4510PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/34/396743/smn_/manual/ipak.jpg_472149771.jpg)
IRFU4510PBF Infineon Technologies
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU4510PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFU4510PBF за ціною від 40.15 грн до 129.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU4510PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 143W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU4510PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 143W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU4510PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
IRFU4510PBF |
![]() |
на замовлення 94 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |