IRFU4615PBF Infineon Technologies
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 45.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU4615PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.034 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFU4615PBF за ціною від 34.91 грн до 140.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 33A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V |
на замовлення 6428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU4615PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.034 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC |
на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRFU4615PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33A Power dissipation: 144W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFU4615PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33A Power dissipation: 144W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |