![IRFSL4510PBF IRFSL4510PBF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/8A/7E/00/00/1/59304_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=4d8892c19926fb193700534beff4a6fcd970f821)
IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES
![IRFSL4510PBF.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Kind of package: tube, Case: TO262, Technology: HEXFET®, Kind of channel: enhanced, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 140W, Drain current: 64A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IRFSL4510PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFSL4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFSL4510PBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFSL4510PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Kind of package: tube Case: TO262 Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Drain current: 64A |
товар відсутній |