Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (139451) > Сторінка 1240 з 2325

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1241 1242 1243 1244 1245 1392 1624 1856 2088 2320 2325  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.04 грн
10+ 98.98 грн
15+ 73.73 грн
40+ 70.14 грн
250+ 67.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm830pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFHM8326TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 19A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN3.3X3.3
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 30V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHM8329TRPBF IRFHM8329TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFHM8329TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.6W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: PQFN3.3X3.3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFHM9331TRPBF IRFHM9331TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm9331pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2.8W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.13 грн
10+ 45.75 грн
47+ 22.57 грн
129+ 21.31 грн
4000+ 20.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFHS8242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs8242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623903b1f5d IRFHS8242TRPBF SMD N channel transistors
товар відсутній
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs8342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs9351pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.4W; PQFN2X2
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFI131ONPBF IRFI131ONPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.81 грн
3+ 137.26 грн
10+ 111.5 грн
27+ 105.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi3205.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.91 грн
8+ 153.14 грн
20+ 139.37 грн
100+ 137.57 грн
250+ 134.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi4110gpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 72A; 61W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 72A
Power dissipation: 61W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+282.75 грн
3+ 239.97 грн
7+ 169.94 грн
17+ 160.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI4229PBF IRFI4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFI4321PBF IRFI4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi4321pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.48 грн
3+ 183.95 грн
7+ 154.66 грн
19+ 146.56 грн
100+ 140.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFI4410ZPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.19 грн
8+ 155 грн
20+ 141.17 грн
50+ 138.47 грн
100+ 135.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI530NPBF IRFI530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFI540NPBF IRFI540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.82 грн
10+ 98.04 грн
18+ 59.34 грн
49+ 56.65 грн
4000+ 54.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIZ24NPBF IRFIZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfiz24n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 13A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.71 грн
10+ 89.55 грн
20+ 54.58 грн
54+ 51.61 грн
100+ 49.54 грн
4000+ 49.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIZ34NPBF IRFIZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfiz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 19A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+95.24 грн
10+ 74.63 грн
17+ 65.64 грн
45+ 62.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfiz44n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.45 грн
10+ 65.64 грн
23+ 47.3 грн
62+ 44.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFL024ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.47 грн
10+ 51.73 грн
40+ 26.71 грн
50+ 26.62 грн
109+ 25.18 грн
2500+ 24.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4315pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfml8244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.11 грн
18+ 15.78 грн
100+ 10.07 грн
152+ 6.92 грн
417+ 6.56 грн
3000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp054n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.62 грн
7+ 163.41 грн
19+ 148.36 грн
50+ 145.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.81 грн
5+ 128.86 грн
12+ 95.31 грн
31+ 90.82 грн
500+ 89.02 грн
1000+ 87.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp1405pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
On-state resistance: 5.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+303.09 грн
5+ 261.45 грн
6+ 193.32 грн
15+ 182.53 грн
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp140n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.3 грн
5+ 99.91 грн
15+ 72.83 грн
40+ 69.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.84 грн
9+ 123.26 грн
25+ 112.4 грн
100+ 107.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.7 грн
10+ 153.14 грн
13+ 84.52 грн
35+ 80.03 грн
400+ 78.23 грн
500+ 77.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.48 грн
10+ 105.51 грн
15+ 71.03 грн
41+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214 грн
9+ 123.26 грн
25+ 112.4 грн
400+ 108.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+356.35 грн
10+ 242.78 грн
11+ 101.61 грн
29+ 96.21 грн
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+344.73 грн
6+ 193.29 грн
16+ 175.34 грн
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP3006PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+321.49 грн
5+ 262.38 грн
10+ 250.87 грн
12+ 238.28 грн
100+ 229.29 грн
IRFP3077PBF IRFP3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3077pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+340.85 грн
7+ 162.47 грн
19+ 147.46 грн
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.19 грн
9+ 127.92 грн
24+ 115.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3306PBF IRFP3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3306pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.4 грн
10+ 180.21 грн
12+ 95.31 грн
31+ 89.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.91 грн
9+ 127.92 грн
24+ 116.89 грн
2800+ 112.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3703.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+289.53 грн
3+ 260.52 грн
6+ 193.32 грн
15+ 182.53 грн
100+ 179.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.38 грн
7+ 167.14 грн
10+ 159.15 грн
19+ 151.96 грн
25+ 146.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4004PBF IRFP4004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4004pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350A; 380W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 350A
Power dissipation: 380W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+405.73 грн
3+ 352.02 грн
5+ 259.86 грн
12+ 245.47 грн
500+ 236.48 грн
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+391.21 грн
6+ 200.76 грн
15+ 183.43 грн
400+ 180.73 грн
IRFP4127PBF IRFP4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4127PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 53A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 53A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+364.09 грн
6+ 212.9 грн
15+ 194.22 грн
IRFP4137PBF IRFP4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4137PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4227PBF IRFP4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4227pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4229PBF IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+376.68 грн
5+ 239.04 грн
13+ 217.6 грн
IRFP4310ZPBF IRFP4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+316.64 грн
6+ 200.76 грн
16+ 182.53 грн
100+ 180.73 грн
2000+ 175.34 грн
IRFP4321PBF IRFP4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4321pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 78A
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 71nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+287.6 грн
6+ 182.08 грн
17+ 166.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4332PBF IRFP4332PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4332pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+419.29 грн
5+ 246.51 грн
13+ 224.79 грн
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+657.5 грн
3+ 366.96 грн
9+ 334.49 грн
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+535.49 грн
3+ 386.57 грн
8+ 351.57 грн
100+ 348.88 грн
400+ 337.19 грн
IRFP4568PBF IRFP4568PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4568pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+505.47 грн
3+ 392.18 грн
8+ 357.87 грн
100+ 344.38 грн
IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4710PBF IRFP4710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 72A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 72A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4868PBF IRFP4868PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4868PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+687.52 грн
3+ 507.03 грн
6+ 462.17 грн
IRFP7430PBF IRFP7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.13 грн
6+ 181.15 грн
17+ 164.55 грн
100+ 160.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf
IRFH9310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.04 грн
10+ 98.98 грн
15+ 73.73 грн
40+ 70.14 грн
250+ 67.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFHM830TRPBF irfhm830pbf.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF.pdf
IRFHM8326TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 19A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN3.3X3.3
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 30V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHM8329TRPBF IRFHM8329TRPBF.pdf
IRFHM8329TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.6W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: PQFN3.3X3.3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFHM9331TRPBF irfhm9331pbf.pdf
IRFHM9331TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2.8W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.13 грн
10+ 45.75 грн
47+ 22.57 грн
129+ 21.31 грн
4000+ 20.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFHS8242TRPBF irfhs8242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623903b1f5d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHS8242TRPBF SMD N channel transistors
товар відсутній
IRFHS8342TRPBF irfhs8342pbf.pdf
IRFHS8342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHS9301TRPBF irfhs9301pbf.pdf
IRFHS9301TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFHS9351TRPBF irfhs9351pbf.pdf
IRFHS9351TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.4W; PQFN2X2
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFI131ONPBF irfi1310n.pdf
IRFI131ONPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.81 грн
3+ 137.26 грн
10+ 111.5 грн
27+ 105.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI3205PBF description irfi3205.pdf
IRFI3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.91 грн
8+ 153.14 грн
20+ 139.37 грн
100+ 137.57 грн
250+ 134.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI4110GPBF irfi4110gpbf.pdf
IRFI4110GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 72A; 61W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 72A
Power dissipation: 61W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.75 грн
3+ 239.97 грн
7+ 169.94 грн
17+ 160.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI4229PBF irfi4229pbf.pdf
IRFI4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFI4321PBF irfi4321pbf.pdf
IRFI4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.48 грн
3+ 183.95 грн
7+ 154.66 грн
19+ 146.56 грн
100+ 140.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF.pdf
IRFI4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.19 грн
8+ 155 грн
20+ 141.17 грн
50+ 138.47 грн
100+ 135.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI530NPBF irfi530n.pdf
IRFI530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFI540NPBF irfi540n.pdf
IRFI540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.82 грн
10+ 98.04 грн
18+ 59.34 грн
49+ 56.65 грн
4000+ 54.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIZ24NPBF irfiz24n.pdf
IRFIZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 13A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.71 грн
10+ 89.55 грн
20+ 54.58 грн
54+ 51.61 грн
100+ 49.54 грн
4000+ 49.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIZ34NPBF description irfiz34n.pdf
IRFIZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 19A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+95.24 грн
10+ 74.63 грн
17+ 65.64 грн
45+ 62.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIZ44NPBF irfiz44n.pdf
IRFIZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.45 грн
10+ 65.64 грн
23+ 47.3 грн
62+ 44.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL024NTRPBF irfl024npbf.pdf
IRFL024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.47 грн
10+ 51.73 грн
40+ 26.71 грн
50+ 26.62 грн
109+ 25.18 грн
2500+ 24.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL4315TRPBF irfl4315pbf.pdf
IRFL4315TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFML8244TRPBF irfml8244pbf.pdf
IRFML8244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.11 грн
18+ 15.78 грн
100+ 10.07 грн
152+ 6.92 грн
417+ 6.56 грн
3000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFP054NPBF irfp054n.pdf
IRFP054NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.62 грн
7+ 163.41 грн
19+ 148.36 грн
50+ 145.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP064NPBF irfp064n.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.81 грн
5+ 128.86 грн
12+ 95.31 грн
31+ 90.82 грн
500+ 89.02 грн
1000+ 87.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP1405PBF irfp1405pbf.pdf
IRFP1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
On-state resistance: 5.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+303.09 грн
5+ 261.45 грн
6+ 193.32 грн
15+ 182.53 грн
IRFP140NPBF irfp140n.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.3 грн
5+ 99.91 грн
15+ 72.83 грн
40+ 69.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP150NPBF description irfp150n.pdf
IRFP150NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.84 грн
9+ 123.26 грн
25+ 112.4 грн
100+ 107.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF irfp250mpbf.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.7 грн
10+ 153.14 грн
13+ 84.52 грн
35+ 80.03 грн
400+ 78.23 грн
500+ 77.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.48 грн
10+ 105.51 грн
15+ 71.03 грн
41+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260MPBF irfp260mpbf.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214 грн
9+ 123.26 грн
25+ 112.4 грн
400+ 108.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260NPBF irfp260n.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+356.35 грн
10+ 242.78 грн
11+ 101.61 грн
29+ 96.21 грн
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+344.73 грн
6+ 193.29 грн
16+ 175.34 грн
IRFP3006PBF IRFP3006PBF.pdf
IRFP3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+321.49 грн
5+ 262.38 грн
10+ 250.87 грн
12+ 238.28 грн
100+ 229.29 грн
IRFP3077PBF irfp3077pbf.pdf
IRFP3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+340.85 грн
7+ 162.47 грн
19+ 147.46 грн
IRFP3206PBF irfp3206pbf.pdf
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.19 грн
9+ 127.92 грн
24+ 115.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3306PBF description irfp3306pbf.pdf
IRFP3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.4 грн
10+ 180.21 грн
12+ 95.31 грн
31+ 89.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3415PBF irfp3415.pdf
IRFP3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.91 грн
9+ 127.92 грн
24+ 116.89 грн
2800+ 112.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3703PBF irfp3703.pdf
IRFP3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+289.53 грн
3+ 260.52 грн
6+ 193.32 грн
15+ 182.53 грн
100+ 179.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3710PBF irfp3710.pdf
IRFP3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.38 грн
7+ 167.14 грн
10+ 159.15 грн
19+ 151.96 грн
25+ 146.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4004PBF description irfp4004pbf.pdf
IRFP4004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350A; 380W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 350A
Power dissipation: 380W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+405.73 грн
3+ 352.02 грн
5+ 259.86 грн
12+ 245.47 грн
500+ 236.48 грн
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.21 грн
6+ 200.76 грн
15+ 183.43 грн
400+ 180.73 грн
IRFP4127PBF IRFP4127PBF.pdf
IRFP4127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 53A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 53A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+364.09 грн
6+ 212.9 грн
15+ 194.22 грн
IRFP4137PBF IRFP4137PBF.pdf
IRFP4137PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4227PBF description irfp4227pbf.pdf
IRFP4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4229PBF irfp4229pbf.pdf
IRFP4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+376.68 грн
5+ 239.04 грн
13+ 217.6 грн
IRFP4310ZPBF irfp4310zpbf.pdf
IRFP4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.64 грн
6+ 200.76 грн
16+ 182.53 грн
100+ 180.73 грн
2000+ 175.34 грн
IRFP4321PBF irfp4321pbf.pdf
IRFP4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 78A
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 71nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+287.6 грн
6+ 182.08 грн
17+ 166.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4332PBF description irfp4332pbf.pdf
IRFP4332PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.29 грн
5+ 246.51 грн
13+ 224.79 грн
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+657.5 грн
3+ 366.96 грн
9+ 334.49 грн
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+535.49 грн
3+ 386.57 грн
8+ 351.57 грн
100+ 348.88 грн
400+ 337.19 грн
IRFP4568PBF description irfp4568pbf.pdf
IRFP4568PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+505.47 грн
3+ 392.18 грн
8+ 357.87 грн
100+ 344.38 грн
IRFP4668PBF irfp4668pbf.pdf
IRFP4668PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4710PBF irfp4710.pdf
IRFP4710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 72A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 72A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4868PBF IRFP4868PBF.pdf
IRFP4868PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+687.52 грн
3+ 507.03 грн
6+ 462.17 грн
IRFP7430PBF IRFP7430PBF.pdf
IRFP7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+271.13 грн
6+ 181.15 грн
17+ 164.55 грн
100+ 160.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1241 1242 1243 1244 1245 1392 1624 1856 2088 2320 2325  [ Наступна Сторінка >> ]