![IRFU3910PBF IRFU3910PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/34/396743/smn_/manual/ipak.jpg_472149771.jpg)
IRFU3910PBF Infineon Technologies
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 13.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU3910PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFU3910PBF за ціною від 23.37 грн до 95.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 2467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF Код товару: 77965 |
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 100 V Idd,A: 16 A Rds(on), Ohm: 0,115 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 640/44 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |