IRFZ44EPBF Infineon Technologies
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 29.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ44EPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFZ44EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFZ44EPBF за ціною від 33.71 грн до 106.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ44EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFZ44EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFZ44EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFZ44EPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFZ44EPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 427 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFZ44EPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ44EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFZ44EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFZ44EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V |
на замовлення 12671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRFZ44EPBF | Виробник : IR |
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=60V; Id=48A; Pdmax=110W; Rds=0,023 Ohm |
на замовлення 93 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
IRFZ44EPBF Код товару: 66761 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFZ44EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |