IRFU5505PBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRFU5505PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 67.08 грн |
| 15+ | 55.19 грн |
| 100+ | 42.45 грн |
| 500+ | 35.57 грн |
| 1000+ | 26.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU5505PBF INFINEON
Description: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU5505PBF за ціною від 44.96 грн до 91.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU5505PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFU5505PBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT P-Ch -55V -18A 110mOhm 21.3nC |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
;;3.jpg "IRFU5505PBF") |
IRFU5505PBF Код товару: 67411 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||||||||||||
 |
IRFU5505PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IRFU5505PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -18A Power dissipation: 57W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IRFU5505PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IRFU5505PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -18A Power dissipation: 57W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |