IRFZ44VPBF

IRFZ44VPBF


IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 35444
Виробник: IR
Uds,V: 60 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,0165 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
Монтаж: THT
у наявності 337 шт:

234 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+28 грн
10+ 25.2 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFZ44VPBF за ціною від 29.42 грн до 104.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : Infineon Technologies irfz44vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : International Rectifier IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+51.15 грн
13+ 47.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
179+66.45 грн
189+ 62.7 грн
218+ 54.41 грн
229+ 50.08 грн
500+ 46.29 грн
1000+ 40.79 грн
Мінімальне замовлення: 179
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
177+67.29 грн
198+ 59.93 грн
500+ 49.75 грн
1000+ 42.61 грн
Мінімальне замовлення: 177
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+72.91 грн
10+ 62.86 грн
100+ 55.99 грн
500+ 44.81 грн
1000+ 36.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfz44v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.9 грн
10+ 62.67 грн
18+ 45.77 грн
50+ 42.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFZ44V_DataSheet_v01_01_EN-3363286.pdf MOSFET MOSFT 60V 55A 16.5mOhm 44.7nC
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.43 грн
10+ 79.29 грн
100+ 57.93 грн
500+ 49.08 грн
1000+ 39.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfz44v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.28 грн
10+ 78.1 грн
18+ 54.92 грн
50+ 51.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 25 V
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.72 грн
50+ 76.35 грн
100+ 60.5 грн
500+ 48.12 грн
1000+ 39.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+104.65 грн
10+ 82.66 грн
100+ 66.58 грн
500+ 52.39 грн
1000+ 39.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 11671 шт
очікується: 250 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+30 грн
10+ 29 грн
100+ 28 грн
1000+ 27 грн
NE555P
Код товару: 26138
description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fse555
NE555P
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1724 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+8 грн
10+ 7.2 грн
100+ 6.5 грн
1000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ44NPBF
Код товару: 35403
irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1213 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+20 грн
10+ 17.9 грн
100+ 16 грн
IRF4905PBF
Код товару: 22366
irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 560 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+48.5 грн
10+ 43.6 грн
100+ 39.5 грн
LM358N
Код товару: 181180
2011041434_HGSEMI-LM358M-TR_C398078.pdf
LM358N
Виробник: HGSEMI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 2 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0…+70°C
К-сть каналів: 2
Монтаж: THT
у наявності: 1123 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+9 грн
10+ 8 грн
100+ 7.2 грн
Мінімальне замовлення: 3