Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (136602) > Сторінка 1233 з 2277

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 227 454 681 908 1135 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1362 1589 1816 2043 2270 2277  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PVG612S PVG612S INFINEON TECHNOLOGIES PVG612S.PDF description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Relay series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+875.52 грн
3+ 505.44 грн
6+ 459.98 грн
PVI1050NSPBF PVI1050NSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvin.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 2.5kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 2.5kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 0.3ms
Turn-off time: 220µs
Manufacturer series: PVI-NPbF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PVI5013RS-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvi5013r.pdf?fileId=5546d462533600a401535683d8d12940 PVI5013RS-TPBF Optocouplers - others
товар відсутній
PVI5013RSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvi5013r.pdf?fileId=5546d462533600a401535683d8d12940 PVI5013RSPBF Optocouplers - others
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+399.36 грн
5+ 254.95 грн
12+ 240.69 грн
PVI5033RS-TPBF PVI5033RS-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVI5033RS-TPBF.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.5ms
Manufacturer series: PVI5033RPbF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PVI5033RSPBF PVI5033RSPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVI5033RPBF.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 5ms
Manufacturer series: PVI5033RPbF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PVI5050NSPBF PVI5050NSPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10210-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: photodiode; 4kV; Gull wing 8; PVI-NPbF
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 4kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 300µs
Turn-off time: 220µs
Manufacturer series: PVI-NPbF
товар відсутній
PVI5080NPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PVI5080N-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff8185cd0 PVI5080NPBF Optocouplers - others
товар відсутній
PVT322PBF PVT322PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt322.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 500mA; 0÷250VAC; 10Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
Relay series: PVT322PbF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PVT412LSPBF PVT412LSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt412.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 3÷25mA; 200mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 3...25mA
Max. operating current: 0.2A
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Relay series: PVT412PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+480 грн
4+ 356.4 грн
9+ 324.48 грн
100+ 312 грн
PVT422PBF PVT422PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt422.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Relay series: PVT422PbF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PVT422SPBF PVT422SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt422.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Relay series: PVT422PbF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1112.64 грн
2+ 599.86 грн
5+ 545.55 грн
SAK-TC1797-384F150E INFINEON TECHNOLOGIES SAK-TC1797-384F150E.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller; BGA416; 3MBFLASH; 3.5÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller
Case: BGA416
Memory: 3MB FLASH
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.5...5V DC
Interface: I2C; SPI; UART
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SGB02N120 SGB02N120 INFINEON TECHNOLOGIES SGB02N120.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.8A; 62W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 2.8A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9.6A
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 375ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
SGP07N120 SGP07N120 INFINEON TECHNOLOGIES SGP07N120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 16.5A; 125W; TO220AB; single transistor
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 125W
Type of transistor: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Case: TO220AB
Collector current: 16.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+311.04 грн
3+ 269.38 грн
5+ 238.01 грн
12+ 224.64 грн
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.12 грн
10+ 55.91 грн
37+ 28.35 грн
102+ 26.83 грн
4000+ 26.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
SKW25N120 SKW25N120 INFINEON TECHNOLOGIES SKW25N120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1394.88 грн
2+ 919.23 грн
4+ 837.05 грн
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBD914E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; SOT23; 370mW; reel,tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+11.52 грн
100+ 3.78 грн
250+ 3.27 грн
333+ 3.16 грн
913+ 2.99 грн
3000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 25
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2222AE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2907AE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3904SH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
48+6.07 грн
100+ 5.16 грн
244+ 4.31 грн
670+ 4.07 грн
3000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 48
SMBT3906E6327HTSA1 SMBT3906E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3906E6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+7.08 грн
60+ 5.17 грн
250+ 4.39 грн
270+ 3.83 грн
750+ 3.62 грн
3000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
SMBTA06E6327 SMBTA06E6327 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA06E6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA06UPNE6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.89 грн
25+ 11.48 грн
100+ 9.72 грн
120+ 8.99 грн
320+ 8.5 грн
3000+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 15
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA42.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: bipolar
Frequency: 70MHz
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.36W
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
SMBTA92E6327HTSA1 SMBTA92E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA92E6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: bipolar
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.36W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
23+12.67 грн
38+ 7.5 грн
100+ 6.51 грн
201+ 5.08 грн
554+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES SN7002NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SN7002NH6433XTMA1 SN7002NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+6 грн
100+ 5.15 грн
245+ 4.3 грн
675+ 4.06 грн
10000+ 4 грн
Мінімальне замовлення: 50
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SN7002WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.04 грн
20+ 14.16 грн
50+ 9.02 грн
100+ 7.64 грн
247+ 4.25 грн
678+ 4.02 грн
45000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 13
SPA06N80C3 SPA06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.2 грн
3+ 141.63 грн
10+ 105.19 грн
27+ 98.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA07N60C3 SPA07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA07N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.4 грн
3+ 135.15 грн
9+ 119.45 грн
10+ 116.78 грн
25+ 113.21 грн
50+ 109.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA08N80C3 SPA08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Case: PG-TO220-3-FP
Mounting: THT
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.48 грн
3+ 242.54 грн
6+ 177.39 грн
17+ 167.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
SPA11N80C3 SPA11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+360 грн
3+ 311.97 грн
5+ 228.21 грн
13+ 215.73 грн
SPA17N80C3 SPA17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA17N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+353.28 грн
3+ 300.86 грн
5+ 251.38 грн
12+ 237.12 грн
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPA20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
SPB11N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+451.2 грн
4+ 330.48 грн
9+ 301.3 грн
250+ 292.39 грн
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB18P06PGATMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 81.1W; PG-TO263-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+301.44 грн
5+ 233.28 грн
13+ 212.16 грн
100+ 207.7 грн
250+ 204.14 грн
SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
SPB80P06PGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 901 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+289.92 грн
6+ 196.11 грн
15+ 185.42 грн
SPD03N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD03N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD04N50C3 SPD04N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04N50C3.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 4.5A
Drain-source voltage: 560V
Case: PG-TO252-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD04N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 13.5A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD04N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04P10PGBTMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; 38W; PG-TO252-3
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPD04P10PLGBTMA1 SPD04P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04P10PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 38W; PG-TO252-3
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
On-state resistance: 0.85Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPD06N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD08N50C3BTMA1 SPD08N50C3BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD08N50C3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD08P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.32 грн
5+ 66.84 грн
24+ 44.13 грн
66+ 41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.96 грн
5+ 103.68 грн
12+ 89.14 грн
25+ 88.25 грн
33+ 83.79 грн
100+ 82.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.08 грн
10+ 83.31 грн
18+ 61.51 грн
47+ 57.94 грн
2500+ 56.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.56 грн
5+ 113.86 грн
13+ 83.79 грн
35+ 79.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD50N03S207G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.88 грн
5+ 64.8 грн
18+ 59.09 грн
49+ 55.87 грн
100+ 54.38 грн
500+ 53.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
PVG612S description PVG612S.PDF
PVG612S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Relay series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+875.52 грн
3+ 505.44 грн
6+ 459.98 грн
PVI1050NSPBF pvin.pdf
PVI1050NSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 2.5kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 2.5kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 0.3ms
Turn-off time: 220µs
Manufacturer series: PVI-NPbF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PVI5013RS-TPBF pvi5013r.pdf?fileId=5546d462533600a401535683d8d12940
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
PVI5013RS-TPBF Optocouplers - others
товар відсутній
PVI5013RSPBF pvi5013r.pdf?fileId=5546d462533600a401535683d8d12940
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
PVI5013RSPBF Optocouplers - others
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+399.36 грн
5+ 254.95 грн
12+ 240.69 грн
PVI5033RS-TPBF PVI5033RS-TPBF.pdf
PVI5033RS-TPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.5ms
Manufacturer series: PVI5033RPbF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PVI5033RSPBF PVI5033RPBF.pdf
PVI5033RSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 5ms
Manufacturer series: PVI5033RPbF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PVI5050NSPBF IRSDS10210-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PVI5050NSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: photodiode; 4kV; Gull wing 8; PVI-NPbF
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 4kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 300µs
Turn-off time: 220µs
Manufacturer series: PVI-NPbF
товар відсутній
PVI5080NPBF Infineon-PVI5080N-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff8185cd0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
PVI5080NPBF Optocouplers - others
товар відсутній
PVT322PBF pvt322.pdf
PVT322PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 500mA; 0÷250VAC; 10Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
Relay series: PVT322PbF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PVT412LSPBF pvt412.pdf
PVT412LSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 3÷25mA; 200mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 3...25mA
Max. operating current: 0.2A
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Relay series: PVT412PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+480 грн
4+ 356.4 грн
9+ 324.48 грн
100+ 312 грн
PVT422PBF description pvt422.pdf
PVT422PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Relay series: PVT422PbF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PVT422SPBF description pvt422.pdf
PVT422SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Relay series: PVT422PbF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1112.64 грн
2+ 599.86 грн
5+ 545.55 грн
SAK-TC1797-384F150E SAK-TC1797-384F150E.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller; BGA416; 3MBFLASH; 3.5÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller
Case: BGA416
Memory: 3MB FLASH
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.5...5V DC
Interface: I2C; SPI; UART
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SGB02N120 SGB02N120.pdf
SGB02N120
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.8A; 62W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 2.8A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9.6A
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 375ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
SGP07N120 SGP07N120.pdf
SGP07N120
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 16.5A; 125W; TO220AB; single transistor
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 125W
Type of transistor: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Case: TO220AB
Collector current: 16.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+311.04 грн
3+ 269.38 грн
5+ 238.01 грн
12+ 224.64 грн
SI4435DYTRPBF description si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
SI4435DYTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.12 грн
10+ 55.91 грн
37+ 28.35 грн
102+ 26.83 грн
4000+ 26.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
SKW25N120 SKW25N120.pdf
SKW25N120
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1394.88 грн
2+ 919.23 грн
4+ 837.05 грн
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1.pdf
SMBD914E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; SOT23; 370mW; reel,tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.52 грн
100+ 3.78 грн
250+ 3.27 грн
333+ 3.16 грн
913+ 2.99 грн
3000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 25
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327.pdf
SMBT2907AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327.pdf
SMBT3904SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+6.07 грн
100+ 5.16 грн
244+ 4.31 грн
670+ 4.07 грн
3000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 48
SMBT3906E6327HTSA1 SMBT3906E6327.pdf
SMBT3906E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+7.08 грн
60+ 5.17 грн
250+ 4.39 грн
270+ 3.83 грн
750+ 3.62 грн
3000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
SMBTA06E6327 SMBTA06E6327.pdf
SMBTA06E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327.pdf
SMBTA06UPNE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.89 грн
25+ 11.48 грн
100+ 9.72 грн
120+ 8.99 грн
320+ 8.5 грн
3000+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 15
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42.pdf
SMBTA42E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: bipolar
Frequency: 70MHz
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.36W
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
SMBTA92E6327HTSA1 SMBTA92E6327.pdf
SMBTA92E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: bipolar
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.36W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.67 грн
38+ 7.5 грн
100+ 6.51 грн
201+ 5.08 грн
554+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2.pdf
SN7002NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SN7002NH6433XTMA1 Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
SN7002NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+6 грн
100+ 5.15 грн
245+ 4.3 грн
675+ 4.06 грн
10000+ 4 грн
Мінімальне замовлення: 50
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1.pdf
SN7002WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.04 грн
20+ 14.16 грн
50+ 9.02 грн
100+ 7.64 грн
247+ 4.25 грн
678+ 4.02 грн
45000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 13
SPA06N80C3
SPA06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.2 грн
3+ 141.63 грн
10+ 105.19 грн
27+ 98.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA07N60C3 description SPA07N60C3.pdf
SPA07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.4 грн
3+ 135.15 грн
9+ 119.45 грн
10+ 116.78 грн
25+ 113.21 грн
50+ 109.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA08N80C3 INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPA08N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Case: PG-TO220-3-FP
Mounting: THT
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.48 грн
3+ 242.54 грн
6+ 177.39 грн
17+ 167.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
SPA11N80C3 description
SPA11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPA15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPA15N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+360 грн
3+ 311.97 грн
5+ 228.21 грн
13+ 215.73 грн
SPA17N80C3 description SPA17N80C3-DTE.pdf
SPA17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+353.28 грн
3+ 300.86 грн
5+ 251.38 грн
12+ 237.12 грн
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFD.pdf
SPA20N60CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+451.2 грн
4+ 330.48 грн
9+ 301.3 грн
250+ 292.39 грн
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1-dte.pdf
SPB18P06PGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 81.1W; PG-TO263-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+301.44 грн
5+ 233.28 грн
13+ 212.16 грн
100+ 207.7 грн
250+ 204.14 грн
SPB20N60S5 SPB20N60S5.pdf
SPB20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 901 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+289.92 грн
6+ 196.11 грн
15+ 185.42 грн
SPD03N50C3ATMA1 Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD04N50C3 description SPD04N50C3.pdf
SPD04N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 4.5A
Drain-source voltage: 560V
Case: PG-TO252-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD04N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 13.5A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PGBTMA1-dte.pdf
SPD04P10PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; 38W; PG-TO252-3
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPD04P10PLGBTMA1 SPD04P10PLGBTMA1-DTE.pdf
SPD04P10PLGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 38W; PG-TO252-3
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
On-state resistance: 0.85Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD08N50C3BTMA1 SPD08N50C3.pdf
SPD08N50C3BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1-DTE.pdf
SPD08P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf
SPD09P06PLGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.32 грн
5+ 66.84 грн
24+ 44.13 грн
66+ 41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf
SPD15P10PLGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.96 грн
5+ 103.68 грн
12+ 89.14 грн
25+ 88.25 грн
33+ 83.79 грн
100+ 82.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.08 грн
10+ 83.31 грн
18+ 61.51 грн
47+ 57.94 грн
2500+ 56.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.56 грн
5+ 113.86 грн
13+ 83.79 грн
35+ 79.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207G-DTE.pdf
SPD50N03S207GBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.88 грн
5+ 64.8 грн
18+ 59.09 грн
49+ 55.87 грн
100+ 54.38 грн
500+ 53.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 227 454 681 908 1135 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1362 1589 1816 2043 2270 2277  [ Наступна Сторінка >> ]