IRFSL7437PBF

IRFSL7437PBF Infineon Technologies


infineon-irfs7437-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFSL7437PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFSL7437PBF за ціною від 60.66 грн до 204.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1kA
Mounting: THT
Case: TO262
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.69 грн
10+ 81.56 грн
14+ 65.4 грн
37+ 61.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.79 грн
50+ 115.18 грн
100+ 94.77 грн
500+ 75.26 грн
1000+ 63.86 грн
2000+ 60.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS7437_DataSheet_v01_01_EN-3363351.pdf MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+158.83 грн
10+ 99.78 грн
100+ 76.89 грн
250+ 76.18 грн
500+ 68.92 грн
1000+ 65.11 грн
2000+ 61.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1kA
Mounting: THT
Case: TO262
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.22 грн
10+ 101.64 грн
14+ 78.47 грн
37+ 74.07 грн
500+ 72.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRFS7437_DataSheet_v01_01_EN-1102255.pdf MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.09 грн
10+ 181.71 грн
100+ 126.27 грн
500+ 103.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838761-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFSL7437PBF Виробник : Infineon irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)